Я исследовал проблемы надежности флэш-памяти (Nand). мы знаем, что если блок поврежден, он вызывает «плохой блок». Но у меня есть несколько вопросов, которые меня смущают. с нетерпением жду вашей помощи.
Вот мои вопросы:
1. Можем ли мы также назвать эту ячейку «плохой ячейкой», которая включает в себя эти плохие блоки?
2. В чем разница между плохим блоком и плохой ячейкой (или поврежденной ячейкой)?
3.Может ли плохой блок возникнуть во время программы/чтения или программы/записи? (потому что это происходит при частом стирании блока, насколько я знаю)
Заранее спасибо.